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SPD30N03S2L-07 G /Infineon Technologies/分立半导体产品
SPD30N03S2L-07 G的规格信息
SPD30N03S2L-07 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 85µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):68nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2530pF @ 25V

功率 - 最大值:136W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:PG-TO252-3

其它名称:SP000443922SPD30N03S2L07GBTMA1

供应商SPD30N03S2L-07 G
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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